LUMINESZENZEIGENSCHAFTEN VON SILIZIUM UND ZINNOXID IBD

Sinopse

Dieses Buch gibt einen Überblick über Untersuchungen zu den physikalischen, chemischen und lumineszenten Eigenschaften von reinen und mit Seltenen Erden dotierten Oxydphosphoren der Gruppe IV A. Die in der vorliegenden Arbeit betrachteten Oxide sind SiO2 und SnO2. SiO2 ist seit langem als geeigneter Träger für Seltene Erden bekannt und wird häufig für die Herstellung von Festkörperlasern verwendet, während SnO2 ein n-Halbleiter mit einer großen Bandlücke von 2,5-3 eV ist, der in der Rutilstruktur (tetragonale Struktur) kristallisiert. SnO2 gehört zu einer speziellen Klasse von Halbleitern, die direkte Bandlücken aufweisen, aber aufgrund ihrer besonderen Wellenfunktionssymmetrie dipolverboten sind. In der vorliegenden Arbeit wurden Phosphore aus Oxiden der Gruppe IV A (SiO2 und SnO2) nach dem Sol-Gel-Verfahren hergestellt, aber reine Nanophosphore der Gruppe IV A haben eine schwache Lumineszenzintensität. Durch Dotierung mit Seltenerdelementen lässt sich diese um ein Vielfaches steigern, weshalb eine Dotierung mit Hilfe von Seltenerdelementen (Ce3+, Eu3+ und Dy3+) durchgeführt wurde. Diese werden gleichzeitig durch Sol-Gel-Verfahren in Siliziumdioxid- und Zinnmatrizen eingebracht und anschließend mit allgemeinen und lumineszenzspezifischen Charakterisierungstechniken untersucht.