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MODELAÇAO DE DISPOSITIVOS E CARATERIZAÇAO DE DISPOSITIVOS HÖ IBD

EDIÇOES NOSSO CONHECIMENTO
11 / 2024
9786208321147
Português

Sinopse

Nos circuitos electrónicos de baixa potência e alta velocidade, sao necessários dispositivos com caraterísticas mais acentuadas. A velocidade do dispositivo aumenta com caraterísticas IV mais acentuadas, e a baixa potência é conseguida através do funcionamento do dispositivo na regiao sublimiar. A mediçao de correntes na regiao do sublimiar é um grande desafio. Para conseguir uma comutaçao elevada, é necessário propor um novo dispositivo com as vantagens combinadas do FinFET e do TFET. Esta tese propoe um dispositivo híbrido com um valor SS < 25 mV/Dec. O Synopsis Centaurus TCAD é utilizado nesta tese para a modelaçao e caraterizaçao do dispositivo.